конденсатор SMD C1210-X7R-50v-0,33 мкФ (2005г.)
|
(Epcos)
|
745
|
0,33
|
27.03.2024 14:27:48
|
|
|
2ТС112-10-3-3
|
1986г
|
65
|
5,03
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
2ТС112-10-3-3
|
1986г Преобразователь 50
|
77
|
3,92
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
1210 X7R 50 0.33 МКФ K (1210И334Л500Т2)
|
2014г Hitano 2000
|
2200
|
0,32
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
1210 0,33МКФ X7R 50В 10% TCC1210X7R474K500GT
|
CCTC
|
1335
|
0,86
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
1210 0,33МКФ X7R 50В 10% TCC1210X7RR334K500GT
|
CCTC
|
1660
|
0,86
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
К10-79-250В-0.33МКФ-20%-Н30(12*10ММ)
|
2019г упак.
|
14
|
|
12.01.2024 12:10:26
|
|
|
Р1-12-1.0-3.3К-5%-М
|
2012г 5 ,без упак.,этик.
|
1
|
|
12.01.2024 12:09:41
|
|
|
1210 0,33мкф X7R 50в 10% TCC1210X7RR334K500GT
|
CCTC
|
1660
|
0,60
|
04.10.2023 12:31:31
|
|
|
1210 0,33мкф X7R 50в 10% TCC1210X7R474K500GT
|
CCTC
|
1335
|
0,60
|
04.10.2023 12:31:31
|
|
|
индук 0,033мкГн\\SMD03225C2[1210]\\\(7)
|
Чип-дроссели(катушки индуктивности) L 33,0нГн\\1210\SMD\
|
20
|
3,52
|
07.09.2023 16:16:55
|
|
|
К10-69в-Н30-100В 0,033 мкФ 18г. 20% 5 1210
|
|
150
|
|
07.09.2023 15:23:31
|
|
|
1210 X7R 50 0.33 мкФ K (1210И334Л500Т2)
|
14 Hitano 2000
|
2200
|
0,30
|
18.04.2023 9:27:48
|
|
|
2ТС112-10-3-3
|
86 Преобразователь 50
|
77
|
3,52
|
18.04.2023 9:27:48
|
|
|
К10-79-250В-0.33мкФ-20%-Н30(12*10мм)
|
Конденсаторы 2019 1 ,упак.
|
14
|
|
14.04.2023 12:01:06
|
|
|
Р1-12-1.0-3.3к-5%-М
|
Резисторы 2012 5 ,без упак.,этик.
|
1
|
|
14.04.2023 12:00:44
|
|
|
ЧИП 1210 X7R 0,033UF 10% 100V
|
|
95
|
1,60
|
29.03.2023 13:09:12
|
|
|
ЧИП 1210 3,3 5%
|
|
566
|
0,64
|
29.03.2023 13:09:12
|
|
|
ЧИП 1210 3,3К 5%
|
|
3128
|
0,35
|
29.03.2023 13:09:12
|
|
|
ЧИП 1210 33 5%
|
|
638
|
0,41
|
29.03.2023 13:09:12
|
|
|